全文获取类型
收费全文 | 14988篇 |
免费 | 1270篇 |
国内免费 | 596篇 |
学科分类
工业技术 | 16854篇 |
出版年
2024年 | 29篇 |
2023年 | 290篇 |
2022年 | 396篇 |
2021年 | 634篇 |
2020年 | 517篇 |
2019年 | 443篇 |
2018年 | 513篇 |
2017年 | 516篇 |
2016年 | 438篇 |
2015年 | 594篇 |
2014年 | 765篇 |
2013年 | 823篇 |
2012年 | 932篇 |
2011年 | 995篇 |
2010年 | 873篇 |
2009年 | 848篇 |
2008年 | 873篇 |
2007年 | 743篇 |
2006年 | 778篇 |
2005年 | 647篇 |
2004年 | 521篇 |
2003年 | 437篇 |
2002年 | 428篇 |
2001年 | 365篇 |
2000年 | 343篇 |
1999年 | 403篇 |
1998年 | 294篇 |
1997年 | 277篇 |
1996年 | 237篇 |
1995年 | 219篇 |
1994年 | 171篇 |
1993年 | 120篇 |
1992年 | 102篇 |
1991年 | 67篇 |
1990年 | 63篇 |
1989年 | 43篇 |
1988年 | 27篇 |
1987年 | 25篇 |
1986年 | 15篇 |
1985年 | 11篇 |
1984年 | 12篇 |
1983年 | 5篇 |
1982年 | 5篇 |
1981年 | 7篇 |
1980年 | 4篇 |
1979年 | 3篇 |
1978年 | 1篇 |
1977年 | 1篇 |
1970年 | 1篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 156 毫秒
51.
52.
53.
本文分析了造成ora-01555错误的原因,并提出解决办法。ora-01555错误一直是DBA与developer争论的焦点,解决其问题应是双方协调的结果。 相似文献
54.
单壁碳纳米管的制备及生长特性研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用Fe/MgO作为催化剂 ,催化裂解CH4制备了较纯的单壁碳纳米管 ,用TEM和Raman对碳纳米管进行了表征 ,对不同生长温度下制备的碳纳米管Raman径向呼吸振动峰 (RBM)进行了分析 ,研究了生长温度对单壁碳纳米管生长特性和结构特性的影响 相似文献
55.
56.
利用范氏力将单壁碳纳米管样品组装到钨针尖上 ,用FEM/FIM对同一碳纳米管样品用热处理方法和场脱附方法进行了研究。场离子显微镜是具有原子级分辨能力的尖端表面分析工具 ,由场离子像推测这次组装的样品是由三根单壁碳纳米管突起组成的碳纳米管束。清洁碳纳米管束样品的场发射像和场离子像有极好的对应关系。场脱附后的碳纳米管束的场发射特性较好地符合Fowler Nordheim场发射模型。通过比较碳纳米管束吸附态和热处理后以及场脱附后的Fowler Nordheim曲线的斜率变化 ,得出碳纳米管束样品逸出功的变化 ,再结合场发射像的变化推断出场脱附与热处理结合是一种较理想的获得清洁碳纳米管表面的方法 相似文献
57.
数字多媒体广播(DMB)是从数字音频广播(DAB)基础上发展起来的一种新型广播技术。数字音频广播是在调幅AM和调频FM之后的第三代广播技术。通过对数字多媒体技术的介绍较全面地阐述了其技术系统、功能、现状及发展前景。 相似文献
58.
59.
Kerber A. Cartier E. Pantisano L. Degraeve R. Kauerauf T. Kim Y. Hou A. Groeseneken G. Maes H.E. Schwalke U. 《Electron Device Letters, IEEE》2003,24(2):87-89
The magnitude of the V/sub T/ instability in conventional MOSFETs and MOS capacitors with SiO/sub 2//HfO/sub 2/ dual-layer gate dielectrics is shown to depend strongly on the details of the measurement sequence used. By applying time-resolved measurements (capacitance-time traces and charge-pumping measurements), it is demonstrated that this behavior is caused by the fast charging and discharging of preexisting defects near the SiO/sub 2//HfO/sub 2/ interface and in the bulk of the HfO/sub 2/ layer. Based on these results, a simple defect model is proposed that can explain the complex behavior of the V/sub T/ instability in terms of structural defects as follows. 1) A defect band in the HfO/sub 2/ layer is located in energy above the Si conduction band edge. 2) The defect band shifts rapidly in energy with respect to the Fermi level in the Si substrate as the gate bias is varied. 3) The rapid energy shifts allows for efficient charging and discharging of the defects near the SiO/sub 2//HfO/sub 2/ interface by tunneling. 相似文献
60.
本文利用脉冲直流反应磁控溅射的方法制备了五氧化二钽 (Ta2 O5)薄膜 ,俄歇电子能谱仪测试了薄膜的成分含量 ,椭偏仪测试了Ta2 O5薄膜的厚度和折射率 ,XRD分析了薄膜的晶体结构 ,并且分别研究了氧气含量、基底温度等成膜工艺对薄膜的影响。研究结果表明薄膜的成分主要是由氧气含量决定的。利用金属 绝缘体 (介质膜 ) 金属 (MIM)结构初步对Ta2 O5薄膜进行了电学性能的测试 :皮安电流电压源测试了薄膜的I U特性 ,制备出的薄膜折射率在 2 1~ 2 2 ,MIM的I U特性曲线显示了较好的对称性和低的漏电流密度 相似文献